在電力半導體模塊的發(fā)展中，隨著集成度的提高，體積減小，使得單位散熱面積上的功耗增加，散熱成為模塊制造中的一個關鍵問題，而傳統(tǒng)的模塊結構(焊接式和壓接式)已無法成功地解決散熱問題。因此對處于散熱底板和芯片之間的導熱絕緣材料提出了新要求。目前，國內外電力電子行業(yè)所用此種材料一般是陶瓷-金屬復合板結構，簡稱DBC板(Dircet Bonding Copper)。

　　所謂DBC技術，是指將銅在高溫下直接鍵合到陶瓷材料上的技術。DBC板主要是采用Al2O3、AIN、BeO等導熱絕緣陶瓷基片。由于BeO含有毒性，工業(yè)上少有利用。AIN雖然導熱性能良好，且熱膨脹系數(shù)與硅相近，但價格太高，因此目前Al2O3已被廣泛用作DBC板的導熱絕緣基片，而AIN也處于發(fā)展之中。

　　目前國外DBC基板已投入工業(yè)化生產，并廣泛用于電力半導體模塊、微波傳送和密封等領域。在相同功率的電力半導體中，DBC板的焊接式模塊，與普通焊接式模塊相比，不僅體積小，重量輕，省部件，并且具有更好的熱疲勞穩(wěn)定性和更高的集成度。國內這方面的研究剛剛起步，尚未形成工業(yè)化生產。西安交通大學電氣絕緣研究所結合GTR模塊封裝結構的"八五"攻關任務，采用DBC技術研制出Al2O3-Cu復合板，并提供給西安電力電子技術研究所，北京電力電子新技術研究開發(fā)中心等單位試用。目前已形成實驗室小批量生產。市場前景可觀。

　　DBC基板在功率模塊中所起的作用如下：

　　1)作為硅芯片的承載體，并且二者之間無其它任何材料和連接線。電路布線基板，功能近似于PCB板。

　　2)絕緣性能好，把導電部件和散熱部件隔離開。

　　3)散熱性能好，把硅芯片產生的熱量通過導熱機油傳輸?shù)缴嵫b置。

　　因此說DBC基板是導熱性能和絕緣性能都很優(yōu)良的基板。

　　Al2O3-Cu基板具有如下的優(yōu)良特性：

　　1)熱阻抗小，且熱膨脹系數(shù)同Al2O3，與硅相近(7.4×10-5K-1),使用中不要過渡層，硅芯片可直接焊接在DBC基板上;

　　2)具有良好的機械性能，附著力>5000N/cm2，抗剝力>90N/cm;

　　3)耐腐蝕、不形變，可在-55℃～+860℃溫度范圍內使用;

　　4)極好的電絕緣性能，瓷板耐壓>2.5KV;

　　5)良好的導熱性，熱導率為24～28W/m·K;

　　6)焊接性良好，達到95%以上。

　　DBC板將是未來電子線路中結構和連接技術的基礎材料。在傳統(tǒng)有機覆銅P.C.板不能滿足元件熱沖擊性能的時候，DBC板將用于具有高耗散功率電子組件的基本材料。在使用中，由于較厚的銅層(0.3mm)能承受更高的電流負載，在相同截面下，僅需通常P.C.板12%的導體寬度;良好的熱電率，使功率芯片的密集安裝成為可能。在單位體積內能傳輸更大的功率，提高系統(tǒng)和設備的可靠性。在電力電子如下相關領域可得廣泛應用：

　　(1)功率半導體器件，如IGBT、GTR、SIT等;

　　(2)功率控制線路;

　　(3)混合功率線路及新式功率結構單元;

　　(4)固態(tài)繼電器及高頻開關模塊電源;

　　(5)電子加熱器件的溫度控制單元;

　　(6)變頻器、電機調速、交流無觸點開關;

　　(7)電子陶瓷器件，經我所研究表明，采用DBC技術制作BaTiO3的燒銅電極，與普通的燒銀電極以及鍍銅電極相比，接觸電阻小，性能優(yōu)越;

　　(8)汽車電子、航空航天軍事技術等方面的結構單元。 DBC技術是未來"芯-板"技術的基礎，代表著今后封裝技術的發(fā)展趨勢，隨著DBC板的應用，就向未來的"芯-板"技術邁進了一步，同時也形成了創(chuàng)造性產品思想和具有高集成度設備設計的基礎。

　　目前，隨著GTR、IGBT、SIT等新型器件的發(fā)展，對導熱更好的DBC板又提出了要求，日本已研制出了AIN覆銅板，并用于IGBT的封裝中。我國已研制出AIN陶瓷基片，我所已開展了AIN覆銅板的研制工作，并正在進行鍵合機理及工藝過程的研究，預計在"九五"期間，將會在國內電力半導體行業(yè)中得到應用。